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陈裕权;
输出功率 GaN FET AlGaN 外延结构 器件工艺 器件性能 宽带无线通信 栅电极 发射功率 东芝公司;
机译:适用于有源电子扫描阵列的S波段GaN单芯片前端,具有40W的输出功率和1.75dB的噪声系数
机译:通过单层纳米球产生的锥形结构增强GaN基倒装芯片发光二极管的输出功率
机译:具有3W输出功率的GaN基垂直发光二极管单芯片的N电极优化
机译:输出功率为30 dBm的高增益AlGaN / GaN HEMT单芯片E波段功率放大器MMIC
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:通过由单层纳米球产生的锥形结构增强GaN基倒装芯片发光二极管的输出功率
机译:使用浮动平台调制器增加850 mHz四极管的输出功率。
机译:基于GaN的发光二极管芯片以及具有基于GaN的发光二极管芯片的发光二极管组件的制造方法
机译:沉积ITO薄膜和GaN基LED芯片的ITO GaN LED方法
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