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江兴;
nm ; 新型材料 ; 纳米处理器; 纳米晶体 ; 笔记本电脑; 服务器处理器 ; 台式电脑 ; 金属材料 ; 纳米技术 ; 栅电极;
机译:采用针对每个晶体管区域进行了优化的多重应变技术的45nm高性能和低泄漏体逻辑平台技术
机译:采用针对每个晶体管区域进行了优化的多重失真技术的45nm高性能和低泄漏批量逻辑平台技术
机译:采用针对每个晶体管区域进行了优化的多重失真技术的45nm高性能,低泄漏体逻辑平台技术
机译:采用45nm CMOS技术的睡眠晶体管的9T SRAM位单元中的漏电流优化
机译:设计和生产采用HIGFET技术的高速采样器(具有异质结构和隔离栅的场效应晶体管)。
机译:通过在混合栅绝缘体结构中采用光响应聚合物来增强有机光电晶体管的光开关特性
机译:采用45nm技术的摆动恢复互补通过晶体管逻辑的功耗感知加法器单元结构
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号940902s1.11377 UNIsYsCorporation。适用于Windows NT的Integrada,版本1.0。英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266 =>英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266
机译:采用45NM CMOS技术的具有四个多个输出的功率高效锁相环
机译:采用小信号无频闪再生感测的高密度45NM SRAM
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