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陈裕权;
阈值电压; GaN; 功率电子学; 硅栅; 断型; 丰田中心; 功率晶体管; 丰田制; 器件工艺; 等离子体蚀刻;
机译:凹陷工艺和表面处理对AlGaN / GaN异质结构上制造的GaN MOSFET阈值电压的影响
机译:在300mm晶圆工艺上采用60nm CMOS技术制造的具有可调阈值电压的垂直MOSFET的低频噪声降低
机译:高阈值电压SiC-MOSFET制造技术
机译:高性能常关型Al2O3 / GaN MOSFET,通过接口电荷工程实现了高阈值电压记录
机译:开发了用于多阈值电压应用的n-MOS到p-MOS可调谐单金属栅极/高kappa绝缘体器件的创新制造方法。
机译:使用超临界技术制造具有高阈值电压稳定性的全GaN集成的MIS-HEMT
机译:非极性M平面INXGA1-XN / GAN蓝光发光二极管的预期发射效率和平面光极化,在独立GAN基板上制造
机译:使用准分子激光器对金属栅极mOsFET进行阈值电压调谐
机译:通过将半极性或非极性GaN上的蓝色LED与半极性或非极性GaN上的黄色LED结合使用来产生高偏振白光源
机译:用于增加gan增强型MOSFET的阈值电压的外延层结构和器件制造方法
机译:通过将半球形或非极性GaN上的蓝色LED与半球形或非极性GaN上的黄色LED组合使用来实现高度偏振的白光光源
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