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瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管

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正瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)"RJS6005TDPP"将从2011年3月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)

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来源
《半导体信息》 |2011年第2期|P.8-9|共2页
作者
郑冬冬;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电子工业;
关键词
功率半导体; SiC; 功率因数校正; 通信基站; 日立制作所; 三菱电机; 功率元件; 器件设计; 逆变器; 主管技师;

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