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三菱电机; 硅功率器件; 生产线; 产量; 碳化; 晶圆; 投资; 半导体;
机译:界面电荷对晶圆键合碳化硅-碳化硅功率器件发展的影响
机译:三菱电机继续在功率器件技术方面取得进步,IGBT封装技术提高了功率密度,降低了功率损耗,并在智能技术方面取得了进步。
机译:三菱电机开发了下一代功率半导体器件技术,利用SiC逆变器成功驱动了额定功率为3.7kW的电动机,与传统型号相比,功率损耗降低了54%。
机译:界面电荷对晶圆键合碳化硅功率器件开发的影响
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:晶圆级Qa测试与功能器件产量和acceleratedLife测试结果的相关性
机译:制造碳化硅表皮晶圆的方法,制造碳化硅半导体器件的方法以及制造碳化硅表皮晶圆的设备
机译:碳化硅表皮晶圆,碳化硅半导体器件以及碳化硅表皮晶圆的生产方法
机译:碳化硅表皮晶圆,制造碳化硅表皮晶圆的方法以及功率转换器
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