采用聚合物绝缘侧墙技术的三维（3D）存储器芯片叠层封装技术

摘要

最新设计的三维（3D）存储器芯片叠层封装，成功地使用机械芯片3D封装原型。3D封装的制造工艺包括：1）晶圆片切片；2）包含侧墙绝缘的芯片钝化；3）原始I／O焊盘上的通路开口；4）从中心焊盘到侧墙的I／O再分布；5）使用聚合物粘附的裸芯片叠层技术；6）例墙互连技术；7）焊球粘附。与当前3D封装技术相比较，此新3D封装设计有一些主要的改进。其独特特点是在芯片I／O再分布之前，芯片侧墙的绝缘。这样形成：1）芯片到晶圆的效率更高；2）重要工艺简易化。按照此设计，在传统晶圆设计上可获得100％的芯片效率，而没有在传统3D封装设计I／O再分布工艺期间通常发生的任何相邻芯片的损失。因此，新3D封装设计能够简化下列工艺：I／O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连及封装成形。证明原型3D叠层封装的机械完整性满足JEDEC等级Ⅲ及85℃／85％试验的各项要求。