eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下工艺窗口的优化

摘要

随着设计技术进一步发展，通过以C4F6为基础的蚀刻制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用，可以扩大eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下制程的窗口。它有比C4F8更高的对光阻和氮化硅（SIN）的选择比和更宽的蚀刻终止窗口。通过优化工艺窗口，其对SIN的选择比可以达到30：1，使得有能力蚀刻低或高深宽比的结构．大于87度角的蚀刻能力可以很好的控制CD和蚀刻轮廓。