阻变存储器高密度集成

摘要

中科院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明团队提出了一种与CMOS工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案，基于该研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会（IEDM）接收并在作大会报告。交叉阵列中的漏电流问题是存储器高密度集成的主要障碍。