磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能的影响

摘要

磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用.为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种类磨粒和抛光垫对材料去除率和表面形貌的影响.结果表明:在pH=12～13时,氧化铝抛光液去除率为910 nm/min,远大于二氧化硅与氧化铈抛光液,且获得较为理想的光滑表面.3种不同抛光垫抛光后的铝合金表面,阻尼布抛光垫表面将不会出现划痕与腐蚀点,表面粗糙度较低,为10.9 nm.随着氧化铝浓度的增大,材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)均增加.当氧化铝含量为4wt％时,抛光垫使用阻尼布抛光垫适宜铝合金化学机械抛光,在获得高去除率的同时铝合金表面精度高.