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一种单电子晶体管的模拟新方法

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摘要

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET-CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义.

著录项

来源
《科学技术与工程》 |2008年第16期|4664-4666|共3页
作者
陈亚琦; 谭乔来;
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作者单位

湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙,410081;

湘南学院物理系,郴州,423000;

湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙,410081;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体管：按工艺分;
关键词
单电子晶体管; 主方程法; 伏安特性;

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