在硅纳米晶中发现多重激子产生现象

摘要

多重激子产生（MEG）是指吸收一个光子可激发产生多个电子-空穴对或激发子的现象，它对于提高单节太阳能光伏电池的效率具有重要意义。此前，科学家仅在PbSe、PbS、PbTe、CdSe和InAs半导体纳米晶材料中发现存在MEG现象。美国国家再生能源实验室Matthew C．Beard及合作者，首次在胶体状硅纳米晶体（直径9．5nm）中发现了MEG现象。