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刘文宝; 陈文卿;
中国航天标准化研究所;
中国运载火箭技术研究院;
GaAs器件; H2含量; 可靠性; 长期贮存; 长寿命工作;
机译:III-V型化合物半导体器件中的可靠性问题:光学器件和基于GaAs的HBT
机译:基于器件仿真的AlGaAs / GaAs HBT可靠性分析
机译:热退火对GaAs 0.965 sub> Bi 0.035 sub> / GaAs 0.75 sub> P 0.25 sub>量子阱激光器内部器件参数的影响
机译:CH_4 / H_2反应离子蚀刻对AlgaAs / GaAs和假晶algaas / Ingaas / Gaas异质结构的电气和光学性质的影响
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:GaInAsSb材料在GaAs衬底上用于发光器件应用的变质集成
机译:离散GaAs HBT器件的直流和微波可靠性
机译:氢对Gaas器件可靠性的影响
机译:带电粒子加速器的航天电子辐射探测和可靠性试验对中子的影响
机译:量化和预测线边缘粗糙度对器件可靠性和性能的影响
机译:保护涂层航天器不受机械冲击,方法保护涂层航天器不受机械影响以及用于产生这种涂层的设备
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