最新技术的PTIGBT和功率MOS的比较

摘要

最近由于降低了导通和开关损耗，PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PT IGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。