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一种功率MOSFET封装热阻比较装置

摘要

本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置,包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器,其中功率MOSFET压接在散热器上;恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散,通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用,使流过功率MOSFET的电流得到精确控制,极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时,在相同的功率耗散条件下,通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度,可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。

著录项

  • 公开/公告号CN105572559B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安华羿微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201610132622.9

  • 发明设计人 刘义芳;

    申请日2016-03-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01R31/26 变更前: 变更后: 申请日:20160309

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2018-06-12

    授权

    授权

  • 2018-02-27

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R31/26 登记生效日:20180205 变更前: 变更后: 申请日:20160309

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20160309

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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