SiC功率器件的研究和展望

摘要

分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果.研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究.研制成功了国内第一个SiC MPS二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1 000A/cm2.研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET.所制备的SiC BCMOSFET可得到最高为90 cm2/(V·S)的有效迁移率.分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用.