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王莉娜; 邓洁; 杨军一; 李武华;
北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院 北京 100191;
浙江大学电气工程学院 杭州 310027;
功率半导体器件; 硅; 碳化硅; 结温提取; 温敏参数;
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:开发大规模生产设备,以期将SiC功率器件投入实际使用,支持超薄Si晶片的技术,并以部署Alpac和功率器件解决方案的经验和往绩为后盾
机译:在扩展结温范围内工作的SiC功率器件的常见金属模具附件
机译:用准阈值电压作为温度敏感电参数表征SiC功率器件结温的稳健方法
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机译:使用SiC器件的高功率功率电子器件的高温功率模块技术的数值建模。
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:SiC外延晶片,SiC外延晶片的制造方法,SiC器件和功率转换器件
机译:SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
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