大功率SiC MOSFET模块结温提取和短路保护研究

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变量注释表

1绪论

1.1课题研究背景及意义(Research Background and Significance of the Subject)

1.2 国内外研究现状(State of the Art)

1.3本文的主要研究内容(Main Research Content)

2 SiC MOSFET 开关特性

2.2 SiC MOSFET 基本工作原理 (Basic working principle of SiCMOSFET)

2.3 SiC MOSFET 的开关瞬态分析（Switching transient analysis of SiC MOSFET）

2.4本章小结(Chapter Summary)

3 基于dIDS/dt的SiC MOSFET模块结温提取研究

3.3开通暂态 dIDS/dt 的温度相关性（ Turn-on transient dIDS/dt temperature dependence）

3.4实验验证 dIDS/dt 的温度特性及其他影响因素的分析(Experimental verification of temperature characteristics of dIDS/dt and analysis of other influencing factors)

3.5设计dIDS/dt获取结温电路及实验验证（Design dIDS/dt to obtain junction temperature circuit and experimental verification）

3.6本章小结(Chapter Summary)

4基于栅极电荷的短路保护研究

4.2 SiC MOSFET的开通瞬态的栅极电荷相关性

4.3实验与分析

4.4本章小结(Chapter Summary)

5总结与展望

5.2工作展望(Future Research)

参考文献

作者简历

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