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甘德昌;
无;
RIE; 异质结; 场效应; 晶体管;
机译:使用具有Si / SiGe谐振带间隧道二极管的HBr化学成分的ICP-RIE进行低侧壁损伤等离子体刻蚀
机译:C2F6 / CHF3 RIE等离子体在P-HEMT中引起的等离子体诱导的氟损伤
机译:HBr + Cl-2 + O-2气体混合物中的等离子体参数,气相化学和Si / SiO2蚀刻机制:HBr / O-2混合比的影响
机译:Si / SiGe谐振带间隧道二极管的ICP-RIE和HBr化学作用进行低侧壁损伤等离子体刻蚀
机译:紫外线诱发的恶性肿瘤以及防晒霜在防止紫外线诱发的DNA损伤中的作用。
机译:FinFET Cu BEOL工艺中金属间介电层等离子体诱发损伤的测试图案设计
机译:电容耦合HBR / HE,HBR / AR等离子体蚀刻应用的比较研究:流体模型的数值研究
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。
机译:等离子体诱发的损伤预防半导体装置,包括等离子体诱发的损伤保护二极管
机译:通过改进的RF功率减小层间介电体中的通孔形成过程中减少等离子体诱发的沟槽损伤的技术
机译:多层低k半导体器件中裂纹停止沟槽的腐蚀引起的等离子体诱发的损伤的预防
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