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在室温下的氧环境中利用Ar＋轰击Si（100）获得氧化硅薄膜

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来源
《等离子体应用技术快报》 |1997年第7期|15-16|共2页
作者
王惠三;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.055;
关键词
氩离子; 离子轰击; 氧化硅; 薄膜; 氧环境; 集成电路;

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