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孙殿照;
中国科学院半导体研究所材料中心;
氮化镓; GaN; 宽禁带半导体;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:在氮化镓基材上的蓝紫色半导体激光
机译:氮化硼和氮化镓材料中的反应离子蚀刻Cl_2 / Ar和Bcl_3 / Cl_2 / Ar化学物质中的氮化镓材料
机译:基于氮化铝镓铟材料系统和新型多端子砷化镓晶闸管的半导体发光器的数值模拟。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:氮化镓半导体发光元件,制造氮化镓半导体发光元件的方法,氮化镓发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓半导体发光二极管的方法
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
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