首页> 中文会议>中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 >适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备

适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产业化基地,使我国在此领域占有一席之地.本文介绍了该设备的基本设计思想.

著录项

来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|8-10|共3页
会议地点牡丹江
作者
焦春美; 刘祥林;
展开▼
作者单位

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类元素有机化合物;
关键词
氮化镓基材料; 外延生长; 化学气相淀积; 金属有机物; MOCVD设备;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 扩镓Si基溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜 [J] . 王书运 ,孙振翠 ,曹文田 . 分析测试学报 . 2004,第006期
2. 砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用 [J] . 华强 . 集成电路应用 . 2016,第002期
3. 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究 [J] . 莫春兰 ,彭学新 ,熊传兵 . 发光学报 . 2001,第001期
4. 晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究 [J] . 唐慧丽 ,董永军 ,徐军 . 人工晶体学报 . 2007,第3期
5. 腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性 [J] . 陆敏 ,方慧智 ,陆曙 . 半导体学报：英文版 . 2004,第4期
6. MOCVD生长GaN基蓝光外延LED材料的研究 [C] . 曹喜平 ,刘华明 ,熊江玲 . 第九届全国LED产业研讨与学术会议 . 2004
7. GaN基发光管材料的MOCVD生长研究 [A] . 牛南辉 . 2006

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号