首页> 中文期刊> 《中国科学院大学学报》 >氮化镓基材料的合成研究进展

氮化镓基材料的合成研究进展

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

氮化镓是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.本文系统介绍了氮化镓的各种制备方法,对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景.

著录项

来源
《中国科学院大学学报》 |2005年第5期|536-544|共9页
作者
彭必先; 钱海生; 岳军; 陈丽娟; 王崇臣; 张丽娟;
展开▼
作者单位

中国科学院理化技术研究所;

中国科学技术大学化学与材料科学学院;

北京化工大学理学院应用化学系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
氮化镓; 半导体; 制备方法; 应用;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用 [J] . 网易号 . 超硬材料工程 . 2021,第004期
2. 晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究 [J] . 唐慧丽 ,董永军 ,徐军 . 人工晶体学报 . 2007,第3期
3. 氮化镓基薄膜材料的测试和评价 [J] . 许金通 ,陈俊 ,朱龙源 . 激光与红外 . 2006,第011期
4. 氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术 [J] . 罗毅 ,邵嘉平 ,郭文平 . 中国有色金属学报 . 2004,第0z1期
5. 氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术 [J] . 罗毅 ,邵嘉平 ,郭文平 . 中国有色金属学报 . 2004,第F01期
6. 氮化镓基激光器的研究进展 [C] . 张书明 ,曾畅 ,季连 . 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2010
7. 半导体材料氧化镓和氮化镓的合成和表征 [A] . 区顺英 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号