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GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作

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根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进.

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来源
《物理实验》 |2006年第3期|16-18|共3页
作者
卢佃清; 修向前;
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作者单位

淮海工学院,数理科学系,江苏,连云港,222005;

南京大学,物理系,江苏,南京,210093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;TN304.23;
关键词
氢化物气相外延; GaN; 双温区;

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