无压浸渗制备SiC/Al电子封装材料的结构与性能

摘要

将粒度为F280的SiC颗粒振实后直接无压浸渗液态AlSi12Mg8铝合金,制备出高SiC含量的铝基复合材料,并对其结构和性能进行了研究。结果表明:采用该方法制备的SiC/A1复合材料内部组织结构均匀致密,无明显气孔等缺陷,界面产物主要为Mg_2Si,MgO,MgAl_2O_4;平均密度为2.93 g·cm^(-3),抗弯强度在320 MPa以上,热膨胀系数为6.14×10^(-6)～9.24×10^(-6) K^(-1),导热系数为173 W·m^(-1)·K^(-1),均满足电子封装材料要求。