SiC/Al基电子封装复合材料的无压浸渗法制备与热性能研究

摘要

用网格堆积法制备SiC多孔陶瓷,以此作为增强体,用无压浸渗工艺制备45%～65%体积分数的SiC/Al基电子封装复合材料,测定25～300℃热导率和热膨胀系数。实验结果表明,增强体经高温氧化处理后能显著的改善SiC/Al的浸润性能;提高浸渗温度和延长浸渗时间可以改善浸渍效果,浸渗温度在1050℃,浸渗时间5h浸渗效果最好;Mg是促进浸渗的有利因素,可有效改善铝在增强体内的渗透深度。该工艺制备的SiC/Al复合材料,热膨胀系数较经典模型计值低,热导率达189W(m.K),可以较好的满足电子封袋材料的要求。