利用选择性的量阱子不规则性制备集成的外腔GaAs／AlGaAs激光器

机译：具有选择性无序量子阱无源波导的单片集成外腔GaAs / AlGaAs激光器

机译：通过选择性区域MOCVD将应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs量子阱激光器与无源波导进行单片集成

机译：外腔非对称量子阱GaAs / AlGaAs半导体激光器的锁模

机译：通过硅掺杂GaAs / AlGaAs量子阱的选择性混合制备多波长激光器

机译：GaAs / AlGaAs SQW激光器和锥形波导耦合器的集成。

机译：输出电源限制和被动模式锁定GaAs / Algaas量子阱激光器的改进

机译：光栅调谐CW单频外腔应变量子阱InGaas / alGaas Grinsch二极管激光器光谱线宽的波长依赖性

机译：利用多波长泵浦探针技术研究InGaas / alGaas应变层量子阱二极管激光器中的载流子加热

机译：在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构

机译：利用GaAs / AlGaAs基体制备量子精细阱的方法

机译：/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法