掺HCIPMOSFET的电离辐射总剂量效应

摘要

用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣＩ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣＩ能抑制辐射感生阈电漂移和界面态增长；固定ＨＣＩ流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ的最优通入时间范围为１０－１５０ｓ，过量的ＨＣＩ掺入，其抑制辐射损伤能力减或消失。用ＨＣＩ参栅介质中的作用是正负效应的综合，解释了实验结果。