退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

徐飞; 肖志松; 程国安; 易仲珍; 曾宇昕; 张通和; 顾岚岚

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退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

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利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达1021cm-3量级.XRD分析薄膜物相结构发现,退火温度升高将导致Er偏析.通过RHEED和AFM显微分析可得,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌.这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光.

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来源
《核技术》|2002年第8期|631-636|共6页
作者
徐飞; 肖志松; 程国安; 易仲珍; 曾宇昕; 张通和; 顾岚岚;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;

南昌大学材料科学与工程系,南昌,330047;

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;

南昌大学材料科学与工程系,南昌,330047;

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;

南昌大学材料科学与工程系,南昌,330047;

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学性质;
关键词
离子注入; 掺铒硅; 快速退火; 光致发光;
入库时间 2023-07-25 14:47:22

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