钇对掺铒多孔硅体系1.54μm发光的增强作用

摘要

首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅(porous silicon,PS)中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光(photoluminescence,PL),并与掺铒多孔硅(erbim-doped porous silicon,PS:Er)做了比较,发现钇的共掺入对掺铒多孔硅体系1.54μm发射起了增强作用.研究了铒、钇共掺杂多孔硅(erbium and yttrium co-doped poroussilicon,PS:Er,Y)光致发光强度随温度的变化,发现PS:Er与si:Si材料相似,有较强的温度猝灭效应,而PS:Er,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳,且有增强的趋势,受温度影响不明显,并初步探讨了其发光机制.