CMOS器件p、γ、β辐照损伤等效剂量分析计算

摘要

建立了CMOS电子元器件中质子、电子和光子辐照损伤(电子-空穴对和离位原子浓度)计算模型.利用微机化的电子-光子簇射过程模拟程序EGS4和TRIM程序分别计算了电子(β)、光子(γ)和质子(p)辐照在CMOS器件各层中产生的电子-空穴对和离位原子浓度.计算结果表明,在CMOS器件桥结绝缘层中,电子产生的电子-空穴对和离位原子浓度最高,光子次之,质子最低,这表明电子辐照损伤最高,光子次之,质子最小.