纳米射频CMOS混频器的研究

夏华灿; 张流强; 王国波

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介绍了混频器的工作原理、性能指标及几种重要的混频器结构.设计了以Gilbert型为核心的双端差分对混频器,使用TSMC的0.18μm CMOS工艺库,本振信号为2.25GHz,射频信号为2.5GHz;借用安捷伦公司的ADS软件模拟,模拟结果变频增益为-10dBm,双边带噪声为58.6dB,输入1dB压缩点为11dBm,同时端口隔离度也比较高.该混频器适用于中高频段的发射机.

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来源
《纳米科技》 |2007年第6期|24-27|共4页
作者
夏华灿; 张流强; 王国波;
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作者单位

重庆大学光电学院微系统中心,重庆,400044;

重庆大学光电学院微系统中心,重庆,400044;

重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆,400044;

重庆大学光电学院微系统中心,重庆,400044;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
RFIC; 混频器; 集成电路; CMOS;

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