Ⅲ-Ⅴ族MOSFET用于将来的CMOS晶体管

摘要

CMOS“享受”了几十年的繁荣，是依靠作为晶体管“本体”的Si这一核心材料以及SiO2栅电介质。近十年来，研发的焦点关注到引入新材料，如SiGe（作为P沟道晶体管的欧姆接触区）和铪基栅电介质以提高器件性能和能量效率。用别的材料作为沟道材料可能使CMOS发生革命性变化，如选用Ge材料，甚至石墨烯。