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郭俊敏; 郝建民;
中国电子科技集团公司第46研究所,天津300220;
4英寸; 碳化硅; 横向延展; 计算机模拟;
机译:使用竞争晶格模型Monte Carlo模拟分析PVT生长的碳化硅单晶的多型稳定性。
机译:偏振光法研究碳化硅单晶中的位错
机译:硬X射线中Zernike相衬法在碳化硅单晶中微管无损成像中的可能性的理论分析
机译:分析低位脱位密度,PVT-生长,四寸脱位行为;碳化硅单晶
机译:PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
机译:光谱X射线和Mössbauer表征M6和M5铁(钼)-碳化硬质合金的制备团簇:高碳化物-铁共价性增强了局部铁位电子簇氧化时的密度
机译:用竞争晶格模型monte Carlo模拟分析pVT生长碳化硅单晶的多型稳定性
机译:熔盐电解法制备碳化硅单晶和外延层及其特性
机译:用于生长碳化硅单晶的种子晶体,碳化硅单晶锭,碳化硅单晶硅片以及制备碳化硅单晶的方法
机译:碳化硅单晶,碳化硅单晶和碳化硅单晶基体的制备方法
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