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郭俊敏; 郝建民;
中国电子科技集团46所;
感应加热; 矢势计算; 有限元; 电磁场;
机译:使用竞争晶格模型Monte Carlo模拟分析PVT生长的碳化硅单晶的多型稳定性。
机译:硬X射线中Zernike相衬法在碳化硅单晶中微管无损成像中的可能性的理论分析
机译:偏振光法研究碳化硅单晶中的位错
机译:分析低位脱位密度,PVT-生长,四寸脱位行为;碳化硅单晶
机译:PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
机译:硅单晶动态断裂中的自发出表面波纹
机译:用竞争晶格模型monte Carlo模拟分析pVT生长碳化硅单晶的多型稳定性
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:PVT技术生长碳化硅单晶的炉内退火方法
机译:物理气相传输法生长碳化硅单晶并原位退火碳化硅单晶的工艺
机译:碳化硅单晶生长的种子结晶,相同晶种的生产过程以及通过求纳法生产碳化硅单晶的过程
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