9V GaN基高压LED芯片桥接电极的设计与制备

摘要

本文提出的方案以不引起SiO2保护层侧壁的桥接电极发生断裂为前提,通过调整芯粒单元间深隔离槽保护层的厚度,来找到恰当的保护层厚度和桥接电极厚度组合,以确保芯片的桥接电极可靠并且不漏电.基于此,制备可应用于0.2～0.3W照明的9V HV LED芯片,并用微电流和工作电流检验芯片各单元的发光均匀性,以及验证桥接电极电气连接的可靠性.最后,将芯片封装成白光灯珠,并测量其光通量.