Research of GaN-based LED Wafer Properties Radiated by Laser and Fabrication of High Luminescence Efficiency Chips with Low Forward Voltage

摘要

GaN及相关多元化合物材料（Al,Ga,In）N在短波长蓝光、紫光光发射器件及接收器件，微波和大功率半导体器件方面有诱人的应用前景和巨大的市场潜力，是近年来光电子材料领域研究的热门课题。目前GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难，GaN的p型掺杂和p型GaN的欧姆接触是其中困扰研制高性能器件的两个难题。本文首次对具有LED结构的GaN样品的表面p型层进行激光诱导再掺杂，在此基础上对其p－GaN欧姆接触进行研究，并把激光诱导的方法应用到GaN基LED的研制中成功的研制出低工作电压和高发光效率的LED。采用解析计算和数值模拟的方法对激光诱导掺杂...