一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。