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褚忠强; 徐曦;
中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;
总剂量效应; 电子空穴对; 氧化物陷阱电荷; 界面态;
机译:线性双极集成电路中的总剂量效应
机译:结型场效应晶体管和相关线性集成电路中总剂量损伤的增强
机译:传统双极晶体管和线性集成电路中的总剂量效应
机译:逻辑系列和线路界面中各种商业集成电路的辐射总剂量和单一事件效应
机译:III-V化合物半导体异质结构场效应晶体管和光电集成电路的增强/耗尽工艺。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:大规模集成电路电源电流的总剂量效应
机译:总剂量辐射强化CmOs集成电路。
机译:现代农药配方的组成,现代农药检验方法,现代农药,制品,现代农药及其制备工艺
机译:半导体元件,即现代集成电路,制造方法,例如CPU,涉及在应用清洁工艺的情况下在有源区中形成嵌入的引起形变的半导体材料
机译:检测总剂量效应的方法和装置
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