高能X射线辐照对NPN双极晶管体可靠性的影响

摘要

对NPN型双极晶体管3ED6H进行了总吸收剂量为500,1 000,3 000,5 000 Gy(Si)高能X射线辐照,辐照后进行了室温退火和168 h高温存储试验,测量了各试验阶段器件的性能参数,分析了高能X射线对器件的损伤机理并评估了器件的可靠性.结果 表明:1)在器件SiO2氧化层产生的固定正电荷和在Si/SiO2界面产生的界面态,是晶体管电流增益hFE下降的主要原因;2)高温存储会使辐射感生产物退火,电流增益和存储前相比会略微上升.