首页> 美国政府科技报告 >Approximate HSPICE model for orbit low noise analog bipolar NPN transistors.
【24h】

Approximate HSPICE model for orbit low noise analog bipolar NPN transistors.

机译:轨道低噪声模拟双极NpN晶体管的近似HspICE模型。

获取原文

摘要

Vertical bipolar NPN transistors can be fabricated cheaply through MOSIS by using the Orbit 2 um Low Noise Analog CMOS process. The collector is formed from an N-well, the base from a p-base diffusion, and the emitter from an N-diffusion. However, since t ...

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号