双电荷离子注入的倒阱技术

摘要

本文从VLSl CMOS倒阱意义出发,结合我所中能离子注入的双电荷产生及其应用研究,介绍了在NV—3204注入机上实现近400keV的B受主高能注入以形成单峰(约1.0μm)、阱深(约2.0μm)的P倒阱。在此基础上,将它应用到新的CMOS硅栅工艺中。结果初步预示:新一代P倒阱CMOS硅栅工艺具有工艺流程简单、高温经历时间短、抗闩锁能力强等优点。对于只有中能离子注入机的单位,这一双电荷离子注入形成倒阱,将是一种现实有效的技术,也是P型深注入结的有效手段。