SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

索辉; 向思清; 阮圣平; 张彤; 徐宝琨; 王立军

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SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

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利用溶胶-凝胶法合成出纳米晶SnO2薄膜,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2薄膜栅FET式气敏元件,实现了制备纳米晶材料的溶胶-凝胶工艺与硅平面工艺的兼容.对器件的测试结果表明,纳米晶SnO2薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作,元件的漏电流在乙醇气体中减小,掺杂镧以后,漏电流变化幅度增大.

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来源
《微细加工技术》 |2000年第2期|75-78|共4页
作者
索辉; 向思清; 阮圣平; 张彤; 徐宝琨; 王立军;
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作者单位

吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学分区,长春,130023;

中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春,130021;

吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学分区,长春,130023;

吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学分区,长春,130023;

吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学分区,长春,130023;

吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学分区,长春,130023;

中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春,130021;

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正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
纳米晶薄膜; 场效应晶体管; 气敏元件;

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