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周志峰; 张小敏; 毛勤卫;
1. 常州市计量测试技术研究所 2. 江南石墨烯研究院;
分子束外延法; 单原子台阶; 工艺参数; 改进研究;
机译:原子氢辅助分子束外延制备GalnNAsSb薄膜的改进
机译:分子束外延与分子束外延溅射分子束外延生长的SiC层的表面性能
机译:通过分子束外延在Si(111)上生长的拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜中由于表面台阶而形成的畴
机译:通过金属组分子束外延(MOMBE)和固体源分子束外延(SSMBE)制备的ER {sup}(3+)掺杂氮化镓光学性质的比较(SSMBE)
机译:通过分子束外延制备的氮化锰及相关磁性杂化结构的原子尺度和自旋结构研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:由于拓扑绝缘子Bi $ _ {2} $ Te $ _ {3} $通过分子束外延在Si(111)上生长的薄膜中的表面台阶而导致的畴形成
机译:气体团簇离子束制备的Gasb衬底上的分子束外延:朝向改进的表面和界面;杂志文章
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:分子束外延器件和分子束外延方法及分子束单元
机译:分子线源隐身器和分子束外延分子束外延装置依次包裹的液氮或液氦
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