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徐玮; 于军; 王晓晶; 袁俊明; 雷青松;
华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;
湖北省光伏工程技术研究中心,武汉430074;
磁控溅射; 陶瓷靶材; 电阻率; 透过率; ZnO:Al薄膜;
机译:射频磁控溅射工艺参数对掺杂Ga的ZnO薄膜性能的影响
机译:ZnO缓冲层对RF磁控溅射生长的ZnO:Al,P薄膜结构和电性能的影响
机译:衬底温度对直流磁控溅射制备ZnO和Al掺杂ZnO薄膜的结构和光学性能的影响
机译:工艺参数和磁场强度对陶瓷靶直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的影响
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:研究更新:磁控溅射ZnO:al薄膜中不均匀的铝掺杂剂分布及其对电性能的影响
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:AI-SI-MG合金(KPT-F&F-AL-1-2384)和工具(核心,浇口和型模模具)的开发和工艺参数(如外壳的预加热时间和温度),浇铸薄壁铝的浇铸参数通过投资铸造路线进行合金铸造零件。 AI-SI-MG合金(KPT-F&F-AL-1-2384)和工具(核心,浇口和型模模具)的开发和工艺参数(如外壳的预加热时间和温度),浇铸薄壁铝的浇铸参数通过投资铸造路线进行合金铸造零件。 AI-SI-MG合金(KPT-F&F-AL-1-2384)和工具(核心,浇口和型模模具)的开发和工艺参数(如外壳的预加热时间和温度),浇铸薄壁铝的浇铸参数通过投资铸造路线进行合金铸造零件。
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