退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响

摘要

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜，研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明，退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明，随着退火温度的升高，薄膜晶粒度增大，电阻率快速下降，可见光平均透过率明显提高。当退火温度为500℃时，InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为1．46×10-4Ω·cm，载流子浓度和迁移率最高分别为6．56×1020cm-3、65cm2／（V·s），在可见及近红外区平均透过率达92％以上，尤其当波长为362nm时，最高透射率可达99％。