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陈福寿1; 岳恩2;
[1]中航重庆微电子,重庆401331;
[2]重庆材料研究院,重庆400707;
P—GaN 欧姆接触 金属化方案 极化效应;
机译:通过表面处理在GaN发光二极管应用中在反应离子刻蚀的n型GaN上形成非合金Ti / Al / Ni / Au低阻欧姆接触
机译:使用紧张的IngaN接触层形成对P-GaN的低阻欧姆接触
机译:使用低功函数金属Y(Yb)和Al 2 inf> O 3 inf>界面层在GaN衬底上演示无退火金属绝缘体半导体(MIS)欧姆接触
机译:铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究,以及季镓-铟-(过渡或贵金属)-砷体系的热化学行为概述。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:坚固的配方,用于二维低阻欧姆接触 Gaas / alGaas异质结构中的电子气
机译:用Zn / pd / au金属化制备p型Gaas的低阻欧姆接触
机译:p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法
机译:具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型GaN及其制备方法
机译:具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型gan及其制备方法
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