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HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进

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摘要

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成-淬火-退火三个过程,本文对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果.用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器.

著录项

来源
《激光与红外》|2000年第1期|45-47|共3页
作者
李全葆; 王跃; 韩庆林; 李玉德; 宋炳文;
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作者单位

昆明物理研究所,昆明,650223;

昆明物理研究所,昆明,650223;

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昆明物理研究所,昆明,650223;

昆明物理研究所,昆明,650223;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.2+5;
关键词
HgCdTe; 晶体生长; 固态再结晶; 热浴淬火;

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