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王忆锋; 唐利斌;
昆明物理研究所,云南,昆明,650223;
ZnO; P型掺杂; 光电器件;
机译:p型ZnO薄膜的研究进展。
机译:安瓿-管法在未掺杂的ZnO薄膜上扩散磷和砷以及P型ZnO薄膜的电学和光学性质
机译:超声喷雾热解沉积非掺杂n型ZnO薄膜和N-In共掺杂p型ZnO薄膜的性能
机译:薄雾CVD法制备n型和p型ZnO薄膜的挑战
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:鼠伤寒沙门氏菌中的镁转运:mgtA编码P型ATPase并以与mgtB P型ATPase类似的方式受Mg2 +调节。
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:通过同时注入O和As离子以及包括相同方法制造的P型ZnO薄膜的二极管制造P型ZnO薄膜的方法
机译:形成p型ZnO薄膜的方法和使用相同方法形成器件的方法
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积ICP-CVD设备,使用ICP-CVD设备制造没有任何掺杂工艺的P型ZnO薄膜的系统和方法以及光功率化合物半导体
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