机译:安瓿-管法在未掺杂的ZnO薄膜上扩散磷和砷以及P型ZnO薄膜的电学和光学性质
Knowledge~*On Inc., 513-37 Eoyang-dong, Iksan, Jeonbuk, Republic of Korea;
A1. Diffusion; A2. p-type ZnO thin films; A3. RF sputtering; B1. Ampoule-tube;
机译:p型ZnO的特性:通过安瓿管法和ZnO p-n同质结制备的薄膜
机译:用安瓿管法和ZnO p–n同质结制备的p型ZnO:As薄膜的特性
机译:Nh3等离子后处理Zno薄膜制备的P型Zno的光电性能
机译:安瓿-管法制备高迁移率p型ZnO薄膜
机译:CdTe,CdS,ITO和ZnO透明薄膜及其结的光学和电子特性。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响