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基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取

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摘要

器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义.本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K) BSIM3模型的参数提取.同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤.

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来源
《激光与红外》|2013年第9期|1051-1054|共4页
作者
邓旭光;
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作者单位

华北光电技术研究所,北京100015;

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正文语种 chi
中图分类红外光学器件;
关键词
MOSFET; BSIM3; 参数提取;

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